專利地圖及專題文章：「IC先進封裝」專利地圖解析
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來源: Rex Wang 2026-07-23
「IC先進封裝」專利地圖解析
一、「IC先進封裝」簡介
積體電路（IC）製造係將電路設計轉化為可實際運作之晶片的高度精密流程，如下圖所示，通常可概分為前段晶圓製造、晶圓測試、後段封裝與最終測試等階段。製程首先以高純度矽晶圓作為基礎，經清洗與表面處理後，透過氧化或薄膜沉積形成絕緣層、導電層或半導體材料層；接著塗佈光阻，利用微影製程將電路圖案轉移至晶圓表面，再經蝕刻移除不需要的材料。其後，藉由離子佈植或擴散方式調整特定區域的電性，並重複進行沉積、微影、蝕刻與平坦化等步驟，逐層建立電晶體、接觸孔、金屬導線與多層互連結構。完成前段製程後，晶圓會進行電性測試以篩選良品晶粒，再經切割形成單顆晶粒，進入晶粒黏著、打線或覆晶接合、塑封、植球、標記與成品測試等封裝測試流程，使晶片能與外部電路板或系統穩定連接。
IC製造流程示意圖
在上述流程中，先進封裝位於晶圓切割之後的流程，但其重要性已不再只是保護晶粒或提供外部連接。隨著製程微縮成本提高，產業逐漸透過2.5D／3D堆疊、異質整合、扇出型封裝、晶圓級封裝及系統級封裝等技術，將不同功能晶片、記憶體、感測元件或被動元件整合於同一封裝中，以提升訊號傳輸效率、降低功耗、改善散熱並縮小系統尺寸。因此，理解IC從晶圓到封裝測試的完整製造流程，有助於掌握先進封裝在半導體價值鏈中的技術定位與專利布局意義。
二、IC先進封裝的專利現況概述
按，隨著人工智慧（AI）、高效能運算（HPC）、5G/6G通訊、資料中心及邊緣運算等應用快速發展，晶片效能、傳輸速度及功耗管理需求持續提升，使傳統摩爾定律驅動的微縮製程面臨技術與成本挑戰。在此背景下，先進封裝（Advanced Packaging）技術已成為延續半導體產業成長的重要策略之一。透過晶片堆疊（3D Stacking）、異質整合（Heterogeneous Integration）、晶圓級封裝（WLP）、扇出型封裝（Fan-Out Packaging）及系統級封裝（SiP）等技術，可有效提升晶片效能、縮小產品尺寸、改善訊號傳輸效率及降低整體系統功耗，因此受到全球半導體產業高度重視。
IC先進封裝的技術示意圖
從專利布局角度觀察，IC先進封裝相關技術已逐漸成為半導體產業競爭的重要焦點。主要布局者除晶圓製造企業外，亦包含封裝測試廠、半導體設備供應商、材料廠商及系統整合業者，顯示先進封裝技術已形成跨領域、跨產業鏈的發展趨勢。近年來，各國企業積極投入晶片堆疊結構、封裝材料、熱管理技術、電性連接技術、先進製程設備及封裝可靠度等領域的研發與專利申請，使相關專利數量持續成長。
就台灣與中國市場而言，兩岸皆具備完整的半導體產業鏈及龐大的市場需求，因此成為先進封裝技術的重要發展區域。其中，台灣擁有全球領先的晶圓製造與封裝測試產業基礎，而中國則透過政策支持及產業投資持續強化半導體自主化能力，帶動相關專利布局快速增加。透過分析專利申請趨勢、主要申請人及技術領域分布，不僅可掌握先進封裝技術發展方向，亦有助於了解市場競爭態勢及未來潛在技術機會。
鑒於「IC先進封裝」已成為未半導體的技術發展的重要課題，而台灣與中國具備龐大的市場規模、應用場域及技術投入量能，因此其相關專利布局值得持續關注。本文之專利檢索係以「IC先進封裝」相關詞彙與台灣專利、中國專利資料為主要範圍，並依公開／公告年度、申請人及代表性專利內容進行整理。由於2026年資料係截至2026年7月23日止，因此年度統計結果應解讀為階段性觀察，而非完整年度比較。
三、IC先進封裝專利申請數量與成長趨勢
由圖1及表1可看出，IC先進封裝相關專利數量自2015年至2021年間大致呈現逐步累積的成長態勢，其中2020年至2021年維持在約60件左右，顯示此階段仍屬技術布局與應用探索期。自2022年起，專利數量明顯突破百件，並於2023年至2024年快速拉升，分別達147件及250件，代表相關技術已逐漸進入加速布局階段。雖然2025年略降至204件，但仍明顯高於早期年度，顯示研發與專利申請活動仍維持高檔。
2026年截至7月23日止已達388件，為表1所列年度中最高，顯示IC先進封裝相關技術在近期受到高度關注，可能與高效能運算、異質整合、晶片小型化、散熱管理及半導體供應鏈自主化等需求升溫有關。惟因2026年資料尚未涵蓋完整年度，故其數量應視為階段性統計結果；即便如此，該年度在未滿全年期間即已超越過往各年度，仍可反映相關專利布局正處於明顯擴張期，後續值得持續追蹤主要申請人、技術分類及核心專利權利範圍之變化。
表1：IC先進封裝相關專利公開／公告年與專利數量統計表
四、IC先進封裝主要申請人
由圖2及表2可看出，IC先進封裝相關專利之主要申請人呈現「龍頭明確、第二梯隊分散」的分布型態。盛合晶微半導體有限公司(CN)以61件居於首位，顯示其在相關技術領域具有較積極且持續的專利布局；台灣積體電路製造股份有限公司以44件位居第二，反映台灣晶圓製造龍頭亦將先進封裝視為延伸製程整合與提升晶片效能的重要專利布局方向；美商應用材料股份有限公司則以28件排名第三，代表半導體設備與材料供應商亦積極參與先進封裝製程技術競爭。
除前三名外，華進半導體封裝先導技術研發中心(CN)、中芯長電半導體有限公司(CN)、華東科技股份有限公司(TW)、日月光半導體製造股份有限公司、美商艾德亞半導體接合科技有限公司、華天科技電子有限公司(CN)及華為技術有限公司(CN)等申請人之專利數量介於13至21件之間，顯示此領域並非由單一企業完全主導，而是由晶圓製造、封裝測試、半導體設備、材料與系統整合等不同產業角色共同投入。整體而言，主要申請人分布反映IC先進封裝技術已從單一製程改善，逐步擴展為涵蓋設備、材料、封裝結構、異質整合與供應鏈協作的多元競爭場域；後續若進行自由實施(FTO)分析，宜特別關注前三名申請人的核心專利權利範圍，以及中後段申請人在特定製程或應用情境中的技術卡位。
表2：主要申請人及其專利數量統計表
申請人
專利數量
盛合晶微半導體有限公司(CN)
61
台灣積體電路製造股份有限公司
44
美商應用材料股份有限公司
28
華進半導體封裝先導技術研發中心(CN)
21
中芯長電半導體有限公司(CN)
18
華東科技股份有限公司(TW)
18
日月光半導體製造股份有限公司
17
美商艾德亞半導體接合科技有限公司
14
華天科技電子有限公司(CN)
14
華為技術有限公司(CN)
13
五、IC先進封裝創新專利解析
1. TW202621532A號「具有邊緣側互連的半導體封裝及半導體封裝組合件以及其形成方法」
銓心半導體異質整合股份有限公司(TW)的TW202621532A號專利揭示：一種積體電路(IC)堆疊包含：多個彼此水平分離的積體電路(IC)結構，其中每一IC結構包括頂面、與頂面相對的底面及四個側壁，其包括第一側壁、第二側壁、第三側壁及第四側壁；其中底面或頂面的面積大於任一側壁的面積；橫向延伸RDL結構，其覆蓋該多個IC結構的每一第一側壁；及兩個相鄰IC結構之間的向上延伸導熱層。
TW202621532A號專利
2.TW202619079A「積體元件封裝及電子元件」
美商艾德亞半導體接合科技有限公司的TW202619079A號專利揭示：一種積體元件封裝體。積體元件封裝體可以包括載體和在載體的頂表面的一部分之上的模塑膠。積體元件封裝體可以包括安裝到載體並且至少部分地嵌入模塑膠中的積體元件晶片，積體元件晶片包括有源電路系統。積體元件封裝體可以包括安裝到載體並且至少部分地嵌入模塑膠中的應力補償元件，應力補償元件與積體元件晶片間隔開，應力補償元件包括沒有有源電路系統的虛設應力補償元件。應力補償元件和積體元件晶片中的至少一者可以在沒有粘合劑的情況下被直接鍵合到載體。
TW202619079A號專利
3.TW202619065A號「半導體組件以及封裝結構」
大陸商力特半導體（無錫）有限公司(CN)的TW202619065A號專利揭示：用於半導體器件中的角部應力減小的半導體組件、封裝結構和相關方法。該組件包括多個半導體裸晶和多個間隔件。多個間隔件中的每個間隔件被設置在多個半導體裸晶中的兩個半導體裸晶之間，並且被配置為分離多個半導體裸晶中的兩個半導體裸晶。多個間隔件中的至少一個間隔件具有至少一個延伸間隔件角部特徵件，至少一個延伸間隔件角部特徵件被配置為朝向與至少一個間隔件相鄰設置的多個半導體裸晶中的至少一個半導體裸晶的至少一個角部延伸。至少一個延伸間隔件角部特徵件被配置為減少至少一個半導體裸晶上的應力。
TW202619065A號專利
4.TW202619056A號「一種扇出型晶圓級封裝單元及其所堆疊組成的封裝」
華東科技股份有限公司(TW)的TW202619056A號專利揭示：一種扇出型晶圓級封裝單元及其所堆疊組成的封裝，該扇出型晶圓級封裝單元包含載板、至少一裸晶、第一介電層、至少一第二導電柱、第二介電層、多條第一導接線路、第三介電層及多個金屬保護層；其中各該第一導接線路是利用先將金屬膏填注於凹槽中之後再研磨成型導接線路的技術，以在各該裸晶的該第二面上製作成型，以解決現有的扇出型封裝技術在製作各導接線路時易產生較高製造成本且不利於環保的問題；其中該扇出型晶圓級封裝單元的第一面上的各第二銲墊與該扇出型晶圓級封裝單元的第二面上的各第一銲墊的布局是相同的，而能量產化製造。
TW202619056A號專利
5.TW202616284A號「計算系統架構以及包括其的積體電路封裝體」
韓商愛思開海力士有限公司(KR)的TW202616284A號專利揭示：關於計算系統架構以及包括其的積體電路封裝體。一種計算系統包括基礎裸晶、主機設備和堆疊式記憶體結構。基礎裸晶具有第一表面和第二表面，並且包括第一電路塊和第二電路塊。主機設備被設置為與基礎裸晶的第一電路塊的至少一部分重疊。堆疊式記憶體結構被設置為與基礎裸晶的第二電路塊的至少一部分重疊。主機設備和基礎裸晶的第一電路塊透過第一訊號傳輸路徑耦接。在第一電路塊和第二電路塊之間，以及在第二電路塊和堆疊式記憶體結構之間透過第二訊號傳輸路徑進行耦接。
TW202616284A號專利
6.TW202614405A號「至中央處理單元/多晶片模組接合的液體冷卻及封裝製程流程」
美商艾德亞半導體接合科技有限公司的TW202614405A號專利揭示：一種製造冷卻設備之方法包括藉由將冷板附接至第一晶粒之背側而形成整合式冷卻總成。冷板之第一側與第一晶粒間隔開以界定通道體積，通道體積具有在冷板的與第一側相對之第二側處封閉的入口部分及出口部分。方法進一步包括：將整合式冷卻總成附接至中介層，其中複數個第二晶粒安置於中介層上；以及在將整合式冷卻總成附接至中介層之後，開啟通道體積之入口部分及出口部分。
TW202614405A號專利
7.TW202614400A號「半導體封裝件及其製造方法」
台灣積體電路製造股份有限公司)的TW202614400A號專利揭示：一種半導體封裝件包括基底、晶粒、第一接合材料、第二接合材料和散熱系統。晶粒連接到基底。第一接合材料配置在基底上且在晶粒旁。第二接合材料配置在晶粒上並覆蓋晶粒。散熱系統具有與第二接合材料接觸的底面，配置在晶粒之上的第二接合材料上，且配置在基底上的第一接合材料上。散熱系統通過第一接合材料固定至基底。散熱系統的底面通過第二接合材料固定至晶粒，兩者之間存在有接合界面，且接合界面包括第一曲面。
TW202614400A號專利
8.TW202614373A號「電子封裝件及其製法」
矽品精密工業股份有限公司的TW202614373A號專利揭示：包括：一種電子封裝件及其製法，該電子封裝件包括承載結構、電子元件、橋接元件、包覆層、以及光子元件。該承載結構具有相對之第一表面與第二表面。該電子元件設於該承載結構之第二表面，以電性連接該承載結構。該橋接元件設於該承載結構之第二表面，以電性連接該承載結構。該包覆層包覆該電子元件與該橋接元件。該光子元件設於該包覆層之一表面上，且電性連接該橋接元件。該電子封裝件及其製法係於完成該包覆層之形成與研磨後再設置該光子元件，以避免該包覆層覆蓋該光子元件，進而避免污染或損毀該光子元件之光發射器與光接收器。
TW202614373A號專利
9.TW202611642A號「 用於半導體封裝的數位偏置和數位單元佈局技術」
美商應用材料股份有限公司的TW202611642A號專利揭示：一種用於半導體封裝的數位微影方法和一種軟體應用程式。該方法包括將計量資料傳送至數位微影系統，該計量資料對應於佈置在晶粒上複數個不均勻柱的柱高度和柱的臨界尺寸，其中至少有兩個柱具有不同的柱高度和不同的柱臨界尺寸，該數位微影系統可操作以更新遮罩圖案，該遮罩圖案對應於均勻柱的圖案，根據計量資料更新遮罩圖案以生成補償遮罩圖案，並進行數位微影製程，在阻劑上圖案化以形成複數個通孔，這些通孔是在複數個不均勻柱的每個不均勻柱上形成的，並且在阻劑顯影後包含通孔深度和通孔臨界尺寸。
TW202611642A號專利
10.TW202610021A號「封裝基板及其製法」
大陸商芯愛科技（南京）有限公司(CN)的TW202610021A號專利揭示：一種封裝基板及其製法，該封裝基板係包括核心結構，係具有核心板體、連通該核心板體之相對兩側的穿孔、及形成於該相對兩側上及穿孔中的介電體；導電通孔，係形成於該穿孔中的介電體中；內線路層，係形成於該相對兩側的介電體上；線路結構，係形成於該內線路層上，包含至少一第一絕緣層、形成於該第一絕緣層上之至少一線路層及形成於該線路層上之至少一第二絕緣層；以及佈線結構，係嵌埋於該線路結構之該第二絕緣層中。本發明藉由將該佈線結構嵌埋於該第二絕緣層中，利於減省封裝基板厚度以利薄化，並提高該佈線結構附著力，因而避免脫層之問題。
TW202610021A號專利
六、 結論與建議
綜合前述分析結果可知，IC先進封裝技術已成為全球半導體產業的重要發展方向。從專利公開／公告趨勢觀察，近年相關專利數量呈現明顯成長趨勢，尤其自2022年後成長幅度顯著提高，顯示在人工智慧（AI）、高效能運算（HPC）、5G通訊、資料中心及異質整合應用需求帶動下，先進封裝技術已由傳統後段製程逐步轉變為影響晶片效能與系統整合能力的核心技術。
就主要申請人分布而言，盛合晶微半導體有限公司、台灣積體電路製造股份有限公司及美商應用材料股份有限公司等業者皆積極投入相關專利布局，顯示晶圓製造、封裝測試、設備與材料供應商均已將先進封裝列為重要研發方向。整體專利布局呈現多元競爭態勢，尚未形成單一企業壟斷市場之情形，反映產業仍處於技術快速演進與競爭加劇階段。
專利主要集中於顯示晶片結構、封裝技術、互連設計、異質整合及封裝可靠度仍為技術發展重點。此外，相關技術亦逐步延伸至電子記憶體、高頻高速傳輸、製程設備、電性量測、光學元件及系統整合等方向，反映先進封裝已朝向跨領域、多功能及高整合化發展。
因此，建議相關企業在技術研發與專利布局方面，可優先聚焦於異質整合封裝、2.5D／3D晶片堆疊、高頻高速訊號傳輸、先進散熱技術、晶圓級封裝（WLP）、扇出型封裝（Fan-Out）及系統級封裝（SiP）等具高市場需求與高技術門檻之領域。同時，應建立完整專利布局策略，將材料、結構、製程設備、測試驗證及系統應用等不同層級技術納入保護範圍，以提高專利競爭優勢並形成技術壁壘。
此外，企業於投入相關產品開發或市場布局前，宜持續進行專利檢索、專利地圖分析及自由實施分析（FTO），掌握主要競爭者之專利發展動向與技術熱點，及早發現潛在侵權風險與技術空白區域。透過研發創新與專利策略的同步規劃，將有助於提升企業在全球先進封裝產業鏈中的競爭力與市場地位。
若有企業先進或創業家欲對本專題或創新議題或相關專利內容想要進一步瞭解者，或對某產業技術進行FTO、專利地圖分析、專利檢索、專利申請及各專利舉發及迴避設計分析，敬請隨時歡迎電洽：中銓國際專利商標事務所熱線：04-23823629，將派專人提供服務。
關鍵字：IC先進封裝、異質整合、晶片堆疊、2.5D/3D封裝、系統級封裝（SiP）、扇出型封裝（Fan-Out）、晶圓級封裝（WLP）、高效能運算（HPC）、人工智慧（AI）、半導體封裝、H01L、H10W、專利地圖、專利布局、FTO分析
資料來源：全球專利檢索系統(GPSS)，網址：https://tiponet.tipo.gov.tw/gpss2/gpsskmc/gpssbkm
一、「IC先進封裝」簡介
積體電路（IC）製造係將電路設計轉化為可實際運作之晶片的高度精密流程，如下圖所示，通常可概分為前段晶圓製造、晶圓測試、後段封裝與最終測試等階段。製程首先以高純度矽晶圓作為基礎，經清洗與表面處理後，透過氧化或薄膜沉積形成絕緣層、導電層或半導體材料層；接著塗佈光阻，利用微影製程將電路圖案轉移至晶圓表面，再經蝕刻移除不需要的材料。其後，藉由離子佈植或擴散方式調整特定區域的電性，並重複進行沉積、微影、蝕刻與平坦化等步驟，逐層建立電晶體、接觸孔、金屬導線與多層互連結構。完成前段製程後，晶圓會進行電性測試以篩選良品晶粒，再經切割形成單顆晶粒，進入晶粒黏著、打線或覆晶接合、塑封、植球、標記與成品測試等封裝測試流程，使晶片能與外部電路板或系統穩定連接。
IC製造流程示意圖
在上述流程中，先進封裝位於晶圓切割之後的流程，但其重要性已不再只是保護晶粒或提供外部連接。隨著製程微縮成本提高，產業逐漸透過2.5D／3D堆疊、異質整合、扇出型封裝、晶圓級封裝及系統級封裝等技術，將不同功能晶片、記憶體、感測元件或被動元件整合於同一封裝中，以提升訊號傳輸效率、降低功耗、改善散熱並縮小系統尺寸。因此，理解IC從晶圓到封裝測試的完整製造流程，有助於掌握先進封裝在半導體價值鏈中的技術定位與專利布局意義。
二、IC先進封裝的專利現況概述
按，隨著人工智慧（AI）、高效能運算（HPC）、5G/6G通訊、資料中心及邊緣運算等應用快速發展，晶片效能、傳輸速度及功耗管理需求持續提升，使傳統摩爾定律驅動的微縮製程面臨技術與成本挑戰。在此背景下，先進封裝（Advanced Packaging）技術已成為延續半導體產業成長的重要策略之一。透過晶片堆疊（3D Stacking）、異質整合（Heterogeneous Integration）、晶圓級封裝（WLP）、扇出型封裝（Fan-Out Packaging）及系統級封裝（SiP）等技術，可有效提升晶片效能、縮小產品尺寸、改善訊號傳輸效率及降低整體系統功耗，因此受到全球半導體產業高度重視。
IC先進封裝的技術示意圖
從專利布局角度觀察，IC先進封裝相關技術已逐漸成為半導體產業競爭的重要焦點。主要布局者除晶圓製造企業外，亦包含封裝測試廠、半導體設備供應商、材料廠商及系統整合業者，顯示先進封裝技術已形成跨領域、跨產業鏈的發展趨勢。近年來，各國企業積極投入晶片堆疊結構、封裝材料、熱管理技術、電性連接技術、先進製程設備及封裝可靠度等領域的研發與專利申請，使相關專利數量持續成長。
就台灣與中國市場而言，兩岸皆具備完整的半導體產業鏈及龐大的市場需求，因此成為先進封裝技術的重要發展區域。其中，台灣擁有全球領先的晶圓製造與封裝測試產業基礎，而中國則透過政策支持及產業投資持續強化半導體自主化能力，帶動相關專利布局快速增加。透過分析專利申請趨勢、主要申請人及技術領域分布，不僅可掌握先進封裝技術發展方向，亦有助於了解市場競爭態勢及未來潛在技術機會。
鑒於「IC先進封裝」已成為未半導體的技術發展的重要課題，而台灣與中國具備龐大的市場規模、應用場域及技術投入量能，因此其相關專利布局值得持續關注。本文之專利檢索係以「IC先進封裝」相關詞彙與台灣專利、中國專利資料為主要範圍，並依公開／公告年度、申請人及代表性專利內容進行整理。由於2026年資料係截至2026年7月23日止，因此年度統計結果應解讀為階段性觀察，而非完整年度比較。
三、IC先進封裝專利申請數量與成長趨勢
由圖1及表1可看出，IC先進封裝相關專利數量自2015年至2021年間大致呈現逐步累積的成長態勢，其中2020年至2021年維持在約60件左右，顯示此階段仍屬技術布局與應用探索期。自2022年起，專利數量明顯突破百件，並於2023年至2024年快速拉升，分別達147件及250件，代表相關技術已逐漸進入加速布局階段。雖然2025年略降至204件，但仍明顯高於早期年度，顯示研發與專利申請活動仍維持高檔。
2026年截至7月23日止已達388件，為表1所列年度中最高，顯示IC先進封裝相關技術在近期受到高度關注，可能與高效能運算、異質整合、晶片小型化、散熱管理及半導體供應鏈自主化等需求升溫有關。惟因2026年資料尚未涵蓋完整年度，故其數量應視為階段性統計結果；即便如此，該年度在未滿全年期間即已超越過往各年度，仍可反映相關專利布局正處於明顯擴張期，後續值得持續追蹤主要申請人、技術分類及核心專利權利範圍之變化。
表1：IC先進封裝相關專利公開／公告年與專利數量統計表
四、IC先進封裝主要申請人
由圖2及表2可看出，IC先進封裝相關專利之主要申請人呈現「龍頭明確、第二梯隊分散」的分布型態。盛合晶微半導體有限公司(CN)以61件居於首位，顯示其在相關技術領域具有較積極且持續的專利布局；台灣積體電路製造股份有限公司以44件位居第二，反映台灣晶圓製造龍頭亦將先進封裝視為延伸製程整合與提升晶片效能的重要專利布局方向；美商應用材料股份有限公司則以28件排名第三，代表半導體設備與材料供應商亦積極參與先進封裝製程技術競爭。
除前三名外，華進半導體封裝先導技術研發中心(CN)、中芯長電半導體有限公司(CN)、華東科技股份有限公司(TW)、日月光半導體製造股份有限公司、美商艾德亞半導體接合科技有限公司、華天科技電子有限公司(CN)及華為技術有限公司(CN)等申請人之專利數量介於13至21件之間，顯示此領域並非由單一企業完全主導，而是由晶圓製造、封裝測試、半導體設備、材料與系統整合等不同產業角色共同投入。整體而言，主要申請人分布反映IC先進封裝技術已從單一製程改善，逐步擴展為涵蓋設備、材料、封裝結構、異質整合與供應鏈協作的多元競爭場域；後續若進行自由實施(FTO)分析，宜特別關注前三名申請人的核心專利權利範圍，以及中後段申請人在特定製程或應用情境中的技術卡位。
表2：主要申請人及其專利數量統計表
|
申請人 |
專利數量 |
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盛合晶微半導體有限公司(CN) |
61 |
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台灣積體電路製造股份有限公司 |
44 |
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美商應用材料股份有限公司 |
28 |
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華進半導體封裝先導技術研發中心(CN) |
21 |
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中芯長電半導體有限公司(CN) |
18 |
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華東科技股份有限公司(TW) |
18 |
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日月光半導體製造股份有限公司 |
17 |
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美商艾德亞半導體接合科技有限公司 |
14 |
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華天科技電子有限公司(CN) |
14 |
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華為技術有限公司(CN) |
13 |
五、IC先進封裝創新專利解析
1. TW202621532A號「具有邊緣側互連的半導體封裝及半導體封裝組合件以及其形成方法」
銓心半導體異質整合股份有限公司(TW)的TW202621532A號專利揭示：一種積體電路(IC)堆疊包含：多個彼此水平分離的積體電路(IC)結構，其中每一IC結構包括頂面、與頂面相對的底面及四個側壁，其包括第一側壁、第二側壁、第三側壁及第四側壁；其中底面或頂面的面積大於任一側壁的面積；橫向延伸RDL結構，其覆蓋該多個IC結構的每一第一側壁；及兩個相鄰IC結構之間的向上延伸導熱層。
TW202621532A號專利
2.TW202619079A「積體元件封裝及電子元件」
美商艾德亞半導體接合科技有限公司的TW202619079A號專利揭示：一種積體元件封裝體。積體元件封裝體可以包括載體和在載體的頂表面的一部分之上的模塑膠。積體元件封裝體可以包括安裝到載體並且至少部分地嵌入模塑膠中的積體元件晶片，積體元件晶片包括有源電路系統。積體元件封裝體可以包括安裝到載體並且至少部分地嵌入模塑膠中的應力補償元件，應力補償元件與積體元件晶片間隔開，應力補償元件包括沒有有源電路系統的虛設應力補償元件。應力補償元件和積體元件晶片中的至少一者可以在沒有粘合劑的情況下被直接鍵合到載體。
TW202619079A號專利
3.TW202619065A號「半導體組件以及封裝結構」
大陸商力特半導體（無錫）有限公司(CN)的TW202619065A號專利揭示：用於半導體器件中的角部應力減小的半導體組件、封裝結構和相關方法。該組件包括多個半導體裸晶和多個間隔件。多個間隔件中的每個間隔件被設置在多個半導體裸晶中的兩個半導體裸晶之間，並且被配置為分離多個半導體裸晶中的兩個半導體裸晶。多個間隔件中的至少一個間隔件具有至少一個延伸間隔件角部特徵件，至少一個延伸間隔件角部特徵件被配置為朝向與至少一個間隔件相鄰設置的多個半導體裸晶中的至少一個半導體裸晶的至少一個角部延伸。至少一個延伸間隔件角部特徵件被配置為減少至少一個半導體裸晶上的應力。
TW202619065A號專利
4.TW202619056A號「一種扇出型晶圓級封裝單元及其所堆疊組成的封裝」
華東科技股份有限公司(TW)的TW202619056A號專利揭示：一種扇出型晶圓級封裝單元及其所堆疊組成的封裝，該扇出型晶圓級封裝單元包含載板、至少一裸晶、第一介電層、至少一第二導電柱、第二介電層、多條第一導接線路、第三介電層及多個金屬保護層；其中各該第一導接線路是利用先將金屬膏填注於凹槽中之後再研磨成型導接線路的技術，以在各該裸晶的該第二面上製作成型，以解決現有的扇出型封裝技術在製作各導接線路時易產生較高製造成本且不利於環保的問題；其中該扇出型晶圓級封裝單元的第一面上的各第二銲墊與該扇出型晶圓級封裝單元的第二面上的各第一銲墊的布局是相同的，而能量產化製造。
TW202619056A號專利
5.TW202616284A號「計算系統架構以及包括其的積體電路封裝體」
韓商愛思開海力士有限公司(KR)的TW202616284A號專利揭示：關於計算系統架構以及包括其的積體電路封裝體。一種計算系統包括基礎裸晶、主機設備和堆疊式記憶體結構。基礎裸晶具有第一表面和第二表面，並且包括第一電路塊和第二電路塊。主機設備被設置為與基礎裸晶的第一電路塊的至少一部分重疊。堆疊式記憶體結構被設置為與基礎裸晶的第二電路塊的至少一部分重疊。主機設備和基礎裸晶的第一電路塊透過第一訊號傳輸路徑耦接。在第一電路塊和第二電路塊之間，以及在第二電路塊和堆疊式記憶體結構之間透過第二訊號傳輸路徑進行耦接。
TW202616284A號專利
6.TW202614405A號「至中央處理單元/多晶片模組接合的液體冷卻及封裝製程流程」
美商艾德亞半導體接合科技有限公司的TW202614405A號專利揭示：一種製造冷卻設備之方法包括藉由將冷板附接至第一晶粒之背側而形成整合式冷卻總成。冷板之第一側與第一晶粒間隔開以界定通道體積，通道體積具有在冷板的與第一側相對之第二側處封閉的入口部分及出口部分。方法進一步包括：將整合式冷卻總成附接至中介層，其中複數個第二晶粒安置於中介層上；以及在將整合式冷卻總成附接至中介層之後，開啟通道體積之入口部分及出口部分。
TW202614405A號專利
7.TW202614400A號「半導體封裝件及其製造方法」
台灣積體電路製造股份有限公司)的TW202614400A號專利揭示：一種半導體封裝件包括基底、晶粒、第一接合材料、第二接合材料和散熱系統。晶粒連接到基底。第一接合材料配置在基底上且在晶粒旁。第二接合材料配置在晶粒上並覆蓋晶粒。散熱系統具有與第二接合材料接觸的底面，配置在晶粒之上的第二接合材料上，且配置在基底上的第一接合材料上。散熱系統通過第一接合材料固定至基底。散熱系統的底面通過第二接合材料固定至晶粒，兩者之間存在有接合界面，且接合界面包括第一曲面。
TW202614400A號專利
8.TW202614373A號「電子封裝件及其製法」
矽品精密工業股份有限公司的TW202614373A號專利揭示：包括：一種電子封裝件及其製法，該電子封裝件包括承載結構、電子元件、橋接元件、包覆層、以及光子元件。該承載結構具有相對之第一表面與第二表面。該電子元件設於該承載結構之第二表面，以電性連接該承載結構。該橋接元件設於該承載結構之第二表面，以電性連接該承載結構。該包覆層包覆該電子元件與該橋接元件。該光子元件設於該包覆層之一表面上，且電性連接該橋接元件。該電子封裝件及其製法係於完成該包覆層之形成與研磨後再設置該光子元件，以避免該包覆層覆蓋該光子元件，進而避免污染或損毀該光子元件之光發射器與光接收器。
TW202614373A號專利
9.TW202611642A號「 用於半導體封裝的數位偏置和數位單元佈局技術」
美商應用材料股份有限公司的TW202611642A號專利揭示：一種用於半導體封裝的數位微影方法和一種軟體應用程式。該方法包括將計量資料傳送至數位微影系統，該計量資料對應於佈置在晶粒上複數個不均勻柱的柱高度和柱的臨界尺寸，其中至少有兩個柱具有不同的柱高度和不同的柱臨界尺寸，該數位微影系統可操作以更新遮罩圖案，該遮罩圖案對應於均勻柱的圖案，根據計量資料更新遮罩圖案以生成補償遮罩圖案，並進行數位微影製程，在阻劑上圖案化以形成複數個通孔，這些通孔是在複數個不均勻柱的每個不均勻柱上形成的，並且在阻劑顯影後包含通孔深度和通孔臨界尺寸。
TW202611642A號專利
10.TW202610021A號「封裝基板及其製法」
大陸商芯愛科技（南京）有限公司(CN)的TW202610021A號專利揭示：一種封裝基板及其製法，該封裝基板係包括核心結構，係具有核心板體、連通該核心板體之相對兩側的穿孔、及形成於該相對兩側上及穿孔中的介電體；導電通孔，係形成於該穿孔中的介電體中；內線路層，係形成於該相對兩側的介電體上；線路結構，係形成於該內線路層上，包含至少一第一絕緣層、形成於該第一絕緣層上之至少一線路層及形成於該線路層上之至少一第二絕緣層；以及佈線結構，係嵌埋於該線路結構之該第二絕緣層中。本發明藉由將該佈線結構嵌埋於該第二絕緣層中，利於減省封裝基板厚度以利薄化，並提高該佈線結構附著力，因而避免脫層之問題。
TW202610021A號專利
六、 結論與建議
綜合前述分析結果可知，IC先進封裝技術已成為全球半導體產業的重要發展方向。從專利公開／公告趨勢觀察，近年相關專利數量呈現明顯成長趨勢，尤其自2022年後成長幅度顯著提高，顯示在人工智慧（AI）、高效能運算（HPC）、5G通訊、資料中心及異質整合應用需求帶動下，先進封裝技術已由傳統後段製程逐步轉變為影響晶片效能與系統整合能力的核心技術。
就主要申請人分布而言，盛合晶微半導體有限公司、台灣積體電路製造股份有限公司及美商應用材料股份有限公司等業者皆積極投入相關專利布局，顯示晶圓製造、封裝測試、設備與材料供應商均已將先進封裝列為重要研發方向。整體專利布局呈現多元競爭態勢，尚未形成單一企業壟斷市場之情形，反映產業仍處於技術快速演進與競爭加劇階段。
專利主要集中於顯示晶片結構、封裝技術、互連設計、異質整合及封裝可靠度仍為技術發展重點。此外，相關技術亦逐步延伸至電子記憶體、高頻高速傳輸、製程設備、電性量測、光學元件及系統整合等方向，反映先進封裝已朝向跨領域、多功能及高整合化發展。
因此，建議相關企業在技術研發與專利布局方面，可優先聚焦於異質整合封裝、2.5D／3D晶片堆疊、高頻高速訊號傳輸、先進散熱技術、晶圓級封裝（WLP）、扇出型封裝（Fan-Out）及系統級封裝（SiP）等具高市場需求與高技術門檻之領域。同時，應建立完整專利布局策略，將材料、結構、製程設備、測試驗證及系統應用等不同層級技術納入保護範圍，以提高專利競爭優勢並形成技術壁壘。
此外，企業於投入相關產品開發或市場布局前，宜持續進行專利檢索、專利地圖分析及自由實施分析（FTO），掌握主要競爭者之專利發展動向與技術熱點，及早發現潛在侵權風險與技術空白區域。透過研發創新與專利策略的同步規劃，將有助於提升企業在全球先進封裝產業鏈中的競爭力與市場地位。
若有企業先進或創業家欲對本專題或創新議題或相關專利內容想要進一步瞭解者，或對某產業技術進行FTO、專利地圖分析、專利檢索、專利申請及各專利舉發及迴避設計分析，敬請隨時歡迎電洽：中銓國際專利商標事務所熱線：04-23823629，將派專人提供服務。
關鍵字：IC先進封裝、異質整合、晶片堆疊、2.5D/3D封裝、系統級封裝（SiP）、扇出型封裝（Fan-Out）、晶圓級封裝（WLP）、高效能運算（HPC）、人工智慧（AI）、半導體封裝、H01L、H10W、專利地圖、專利布局、FTO分析
資料來源：全球專利檢索系統(GPSS)，網址：https://tiponet.tipo.gov.tw/gpss2/gpsskmc/gpssbkm
關鍵字：#IC先進封裝 #晶片堆疊 #半導體封裝 專利地圖 #專題文章
