晶圆代工厂联电（2303）与内存大厂美光在内存领域的诉战火，从今年初开打迄今，联电今天宣布中国福州市中级人民法院，对美光半导体（西安）与美光半导体销售（上海）侵害联电专利出民事裁决，针对美光半导体的销售禁制令，包括美光在中国部分的DRAM和与NAND、固态硬盘与内存等相关产品禁止销售。
 
联电今年元月向中国福州市中级人民法院递状，控告美光在DRAM及固态硬盘（SSD）等内存产品3个领域涉嫌侵害联电中国公司专利。
 
本次判决主要内容包括，美光半导体（西安）应立即停止制造、销售、进口铂胜运动Ballistix 铂胜台式内存DDR4 2400 8G两条装(实物商品型号：Crucial 英睿达内存条BALLISTIX 16GB KIT 2-8GB DDR4-2400 UDIMM 1.2V)及BX芯片等12项产品。
 
美光半导体销售（上海）应立即停止销售、进口Crucial 英睿达 DDR4 2400 8G 笔记本内存条及C9BGM 芯片等17项产品。
 
厦门市思明区信通源计算机经营部立即停止销售、许诺销售Crucial 英睿达DDR4-2400 8G笔记本内存条及C9BGM 芯片。
 
联电共同总经理王石表示，联电对此判决感到满意，由于联电投入大量资源和人力进行研究和开发开发半导体制造技术，并且获得多国专利，联电将全力维护知识产权，绝不容许任何的侵犯。
 
随着今天的裁决，未来美光部分产品将在整个中国市场禁制销售。联电表示，美光侵害联电专利权，已使其对外宣称本公司无内存芯片相关技术，而须窃取其营业秘密的指控，不攻自破。

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关键词：中国    专利诉讼    半导体    禁制令